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                低溫燒結銀膠

                【摘要】:
                大功率半導體器件的散熱解決方案 :低溫燒結銀膠

                大功率半導體器件的散熱解決方案 :低溫燒結銀膠

                ——

                近年來,對于小型化、高功能化的電子零器件(例如功率器件或大功率發光二極管(LED))的需求急速擴大。功率器件作為可抑制電力損耗并高效率地轉換電力的半導體元件,在電動汽車、快速充電器等領域中普及發展。

                 

                 

                大功率LED的功率可以達到數十瓦,工作電流可以是幾十毫安到幾千毫安不等。大功率LED光源作為第四代電光源,有“綠色照明光源”之稱,具有體積小、安全低電壓、耗電小、發熱小、壽命長、電光轉換效率高、方向性好、響應速度快、節能、環保等優良特性,必將取代傳統的白熾燈、鹵鎢燈和熒光燈而成為21世紀的新一代光源。

                 

                 

                在如上所述的電子零器件的小型化、高功能化的進展中,半導體元件的發熱量具有增大的傾向。然而,若電子零器件長時間暴露在高溫環境下,則壽命急劇減少。因此,對于芯片粘接材料散熱的要求越來越高。

                 

                導電銀膠廣泛應用做芯片粘接材料。

                 

                常規的導電銀膠由樹脂、銀粉和助劑構成,其中樹脂的作用是提供粘接力,銀粉提供導電性。樹脂的存在極大的影響了導熱性。隨著對導電銀膠導熱性要求的提高,這些常規銀膠已經不能滿足高散熱場合。

                因此,國內外各大公司都開始研發低溫燒結銀膠。其原理是將銀燒結到一起,提供導熱通路,得到高導熱系數。目前市場上廣泛使用的導電銀膠品牌包括漢高,京瓷,中科納通等。

                 

                ▲ 主流廠商低溫燒結銀膠導熱率

                 

                燒結機理

                燒結過程

                銀膠燒結的驅動力是降低表面能/界面能。原子表面由于具有不飽和鍵,因此具有表面能。表面能隨著原子半徑的減小而增加。

                下圖給出了銀膠燒結的過程示意圖。最初銀顆粒存在有機層,隨著加熱過程有機層去除,銀顆粒相互接觸,進行燒結。

                 

                ▲ 銀粉燒結過程示意圖

                 

                燒結一般可以分為初期、中期和后期,它們之間沒有明顯界限。

                 

                ■ 燒結初期,顆粒在燒結驅動力的作用下會進行一定的重排,增加接觸面積,生成燒結頸(necks),燒結初期一直持續到燒結頸的直徑達到顆粒直徑的0.4~0.5倍。

                 

                ■ 燒結中期是從孔洞(pores)達到平衡形態(equilibrium shapes)開始的,這一階段主要是致密化,與最終產物密度的相關性達到97%,因此是燒結過程的主要階段。

                 

                ■ 最終階段時孔洞變得不穩定,相互融合產生更大孔洞。下表給出了多晶材料中的燒結機理,只有晶界處和燒結頸的缺陷處的體積擴散(volume diffusion)才能產生致密化。

                 

                ▲ 多晶材料的燒結機理

                 

                尺寸效應對燒結的影響

                 

                根據拉普拉斯公式,當2個曲率半徑為R1和R2的球形顆粒相接,其燒結驅動力

                 

                 

                其中P0為外加壓力,γ為表面能。因此,外加壓力越大,顆粒尺寸越?。≧?。?,表面能(γ)越大,燒結驅動力越大。

                根據德拜公式:

                 

                其中Tmb是塊狀材料的熔點,Tm是材料熔點,D是顆粒直徑,δ是與材料相關的數值,在1.80~2.65nm之間。根據報道,對于微米尺度顆粒,Tm=0.5~0.8Tmb,而對于納米尺度顆粒,Tm=0.1~0.3Tmb。銀的熔點Tmb=986℃,因此如果采用納米銀,燒結溫度可以在99℃~296℃之間,200度燒結是完全可以達到的。對于微米銀,燒結溫度高達493℃~789℃。因此,使用純微米銀,需要外加條件,例如壓力,以增加燒結驅動力。

                 

                無壓低溫燒結銀膠

                 

                隨著電子封裝產業的迅猛發展,使得市場對大功率半導體器件材料的門檻不斷提高。

                中科納通公司致力于研制世界級導電銀漿/銀膠等電子材料,通過幾年潛心研發,打破國外技術壁壘,現已開發出一系列低溫燒結銀膠產品,適用于功率器件、大功率LED、功率模塊的粘接和封裝。產品包括半燒結(NT-SA2700)、全燒結(NT-SA2700NR、NT-SA2700NRS)。

                 

                ▲ 中科納通低溫燒結銀膠

                 

                SA2700NRS產品已成功用于大功率LED上。經過深圳第三代半導體研究院測試表明,在其他條件不變的情況下,當LED功率到4w左右時,SA2700NR可使光通量提高10%以上(如下圖),顯示出優異的散熱效果。

                 

                ▲ 亮度曲線

                 

                作為SA2700NR的增強版本,SA2700NRS的導熱系數高達260W/mK,這是目前已知的200℃無壓燒結銀膠的最高導熱系數,下圖給出了相應的微譜分析報告。

                ▲ 微譜檢測分析報告

                 

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